|
1. 性能(neng)規格
（零(ling)基準校(xiao)驗範圍(wei)，參考條(tiao)件下，矽(xi)油充液(ye)，316 L不鏽鋼(gang)隔離膜(mo)片。）
1.1. 參考(kao)精度
1.1.1. 數(shu)字、智能(neng)：±0.1%校驗量(liang)程
1.1.2. 模拟(ni)、線性：±0.2%校(xiao)驗量程(cheng)
1.2. 穩定性(xing)
1.5.1.數字、智(zhi)能：6個月(yue)，±0.1%URL
1.5.2.模拟、線(xian)性：6個月(yue)，±0.2%URL
1.3. 環境溫(wen)度影響(xiang)
1.3.1.數字、智(zhi)能：
零點(dian)誤差：±0.2%URL/56℃
總(zong)體誤差(cha)：±（0.2%URL+0.18%校驗量(liang)程）/56℃
1.3.2.模拟(ni)、線性
零(ling)點誤差(cha)：±0.5%URL/56℃
總體誤(wu)差：±（0.5%URL+0.5%校驗(yan)量程）/56℃
1.4. 靜(jing)壓影響(xiang)
1.4.1.零點
在(zai)31027kPa靜壓下(xia),爲±0.2%URL。零點(dian)誤差可(ke)在線通(tong)過調零(ling)修正。
1.4.2.量(liang)程
可修(xiu)正至±0.25%輸(shu)出讀數(shu)/6895kPa
1.5. 振動影(ying)響
在任(ren)意軸向(xiang)上，200Hz下振(zhen)動影響(xiang)爲±0.05%URL/g
1.6. 電源(yuan)影響
小(xiao)于±0.005%輸出(chu)量程/伏(fu)特。
1.7. 負載(zai)影響：
沒(mei)有負載(zai)影響，除(chu)非電源(yuan)電壓有(you)變化。
|
1.8. 電(dian)磁幹擾(rao)/射頻幹(gan)擾（EMI/RFI影響(xiang)）
由20至1000MHz，場(chang)強達至(zhi)30V/M時，輸出(chu)漂移小(xiao)于±0.1%量程(cheng)。
1.9. 安裝位(wei)置影響(xiang)
零點漂(piao)移至多(duo)爲±0.25kPa。所有(you)的零點(dian)漂移都(dou)可修正(zheng)掉；對量(liang)程無🏃🏻影(ying)響。
2. 功能(neng)規格
2.1. 測(ce)量範圍(wei)：差壓：0-1.3～6890KPa
靜(jing)壓：25、32MPa
2.2. 零點(dian)與量程(cheng)
2.2.1. 數字、智(zhi)能：可用(yong)本機量(liang)程和零(ling)點按鈕(niu)調整，或(huo)用HART手操(cao)器調整(zheng)。
2.2.2. 模拟、線(xian)性：量程(cheng)和零點(dian)連續可(ke)調。
2.3. 零點(dian)正、負遷(qian)移
零點(dian)負遷移(yi)時，量程(cheng)下限必(bi)須大于(yu)或等于(yu)-URL；零點正(zheng)遷移時(shi)，量程💘上(shang)限必須(xu)小于或(huo)等于+URL。校(xiao)驗量程(cheng)大于或(huo)等于最(zui)小量程(cheng)。
2.4. 輸出
數(shu)字、智能(neng)：
4～20mA DC，用戶可(ke)選擇線(xian)性或平(ping)方根輸(shu)出,數字(zi)過程變(bian)量疊加(jia)在4～20mA DC信号(hao)上，可供(gong)采用HART協(xie)議的上(shang)位機使(shi)用。
模拟(ni)、線性：
4～20mA DC,與(yu)過程壓(ya)力成線(xian)性。
2.5. 阻尼(ni)時間常(chang)數
數字(zi)、智能：時(shi)間常數(shu)可調，以(yi)0.1秒遞增(zeng)，由最小(xiao)至16.0秒。
模(mo)拟、線性(xing)：時間常(chang)數可調(diao)，由最小(xiao)至1.67秒。
|
